Info, dépêche ou communiqué de presse


société :

SOITEC

secteur : Semi-conducteurs
mercredi 22 mai 2024 à 15h46

X-FAB et Soitec coopèrent pour fournir la technologie SmartSiC™ à l'usine X-FAB de Lubbock (États-Unis)


X-FAB et Soitec coopèrent pour fournir la technologie SmartSiC™ à l'usine X-FAB de Lubbock (États-Unis)

Tessenderlo (Belgique) et Bernin (France), le 22 mai 2024 - X-FAB (Euronext Paris), leader mondial de la fonderie « pure player » au service d'une grande variété de clients fabless, et Soitec (Euronext Paris), un leader mondial de la conception et de la production de matériaux semi-conducteurs innovants, vont débuter leur collaboration pour fournir des wafers SmartSiC™ de Soitec pour la production de dispositifs de puissance en carbure de silicium dans l'usine de X-FAB à Lubbock, au Texas.

Cette collaboration fait suite à la finalisation réussie de la phase d'évaluation, au cours de laquelle des dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC) ont été fabriqués chez X-FAB Texas sur des wafers SmartSiC™ de 150 mm.
Soitec offrira aux clients de X-FAB un accès facile au SmartSiC™ grâce à un modèle d’approvisionnement en consignation.

X-FAB est le pionnier et le leader du modèle de fonderie sur le marché en pleine expansion du SiC. Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur disruptif dont les propriétés intrinsèques offrent des performances et une efficacité supérieures à celles du silicium dans les applications de puissance.

La technologie unique SmartSiC™ de Soitec, basée sur le procédé SmartCut™, permet d'améliorer considérablement les performances des dispositifs d'électronique de puissance et d’augmenter les rendements de fabrication. La technologie consiste à coller une très fine couche de SiC monocristallin (mono-SiC) de haute qualité sur une plaquette de polySiC à très faible résistivité. Le procédé permet de réutiliser plusieurs fois une seule plaquette donneuse, ce qui réduit significativement les coûts et les émissions de CO2 qui en découlent.

Sur ce marché en pleine expansion, Soitec augmente la production de substrats SmartSiC™ dans sa nouvelle usine de Bernin, près de Grenoble (France). X-FAB augmente sa capacité de production de dispositifs SiC dans son usine de Lubbock. L'utilisation du SmartSiC™ permet aux clients de X-FAB de concevoir des dispositifs plus petits, ce qui se traduit par une amélioration de l'efficacité grâce à l'augmentation du nombre de puces par wafer. La réduction des émissions de CO2 issues du processus de fabrication du substrat contribuera également à l'initiative de X-FAB visant à réduire son empreinte carbone globale.

Sophie Le-Guyadec, VP Procurement de X-FAB, a déclaré : "En tant que fonderie leader de SiC, nous souhaitons offrir à nos clients toutes les possibilités de concevoir des dispositifs innovants et robustes en carbure de silicium pour les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les applications industrielles. Afin d'offrir les processus et les capacités de fabrication de carbure de silicium les plus avancés, nous avons conjointement convenu de fournir à nos clients un accès facile au SmartSiC™ de Soitec via un modèle de consignation."

Emmanuel Sabonnadière, Executive Vice-Président de Soitec pour la Division Automobile et Industrie, a déclaré : "Les substrats SmartSiC de Soitec et les services de fonderie de X-FAB sont parfaitement adaptés pour répondre à la demande croissante de nouveaux produits en SiC. Cette coopération est une étape importante pour le déploiement de SmartSiC sur le marché américain et à l'international, grâce à l’empreinte mondiale de X-FAB".

À propos de X-FAB

X-FAB est le principal groupe de fonderie d'équipements à signaux mixtes/analogues et MEMS fabriquant des plaquettes de silicium pour les secteurs automobile, industriel, médical, grand public, et autres applications. Dans le monde, ses clients profitent des normes de qualité les plus strictes, de l'excellence dans la fabrication et de solutions innovantes grâce aux processus modulaires CMOS de X-FAB pour des nœuds technologiques allant de 1,0 µm à 110 nm, et à ses processus spéciaux BCD, SOI et MEMS à très longue durée de vie. Les circuits analogues-numériques intégrés (CI à signaux mixtes), les capteurs et les systèmes micro électromécaniques (MEMS) de X-FAB sont fabriqués dans six usines en Allemagne, en France, en Malaisie et aux USA. X-FAB emploie environ 4.500 personnes dans le monde. Pour de plus amples informations, veuillez consulter le site : www.xfab.com.

Pour plus d'informations, veuillez contacter :
Relations médias
Anja Noack
Anja.noack@xfab.com

Relations investisseurs
Uta Steinbrecher
Uta.steinbrecher@xfab.com

A propos de Soitec
Soitec (Euronext - Tech 40 Paris), un leader mondial des matériaux semi-conducteurs innovants, développe depuis plus de 30 ans des produits à la pointe de l’innovation, qui combinent performance technologique et efficacité énergétique. Depuis la France, où son siège mondial est implanté, Soitec se déploie à l’international grâce à ses solutions uniques et a réalisé un chiffre d’affaires de 1,1 milliard d’euros au cours l’exercice 2022-2023. Soitec occupe une place essentielle dans la chaîne de valeur des semi-conducteurs pour servir trois principaux marchés stratégiques : communications mobiles, automobile et industrie, objets intelligents. L’entreprise s’appuie sur le talent et la diversité de ses 2 100 collaborateurs, de 50 nationalités différentes, présents sur ses sites implantés en Europe, aux Etats-Unis et en Asie. Plus de 4 000 brevets ont été déposés par Soitec.

Soitec, SmartSiC™ et Smart Cut™ sont des marques déposées de Soitec.
Pour plus d'informations : https://www.soitec.com/fr/ et suivez-nous sur X : @Soitec_Officiel

Pour plus d'informations, veuillez contacter :
Relations médias
Caroline Sasia
media@soitec.com

Relations investisseurs
Steve Babureck
investors@soitec.com

Pièce jointe


© 2002-2024 BOURSICA.COM, tous droits réservés.

Réalisez votre veille d’entreprise en suivant les annonces de la Bourse

Par la consultation de ce site, vous acceptez nos conditions (voir ici)

Page affichée vendredi 22 novembre 2024 à 2h45m10